2017年的三星代工论坛上,三星宣布了包括8nm、6nm及5nm、4nm工艺在内的一系列新工艺,今天三星又宣布新的工艺路线图,三星调整了一些工艺进展,表示7nm EUV工艺将在今年下半年问世,并首次公布了3nm GAAE/GAAP工艺,明确将使用新一代晶体管结构。
三星的工艺路线图更新如下:
7nm LPP:三星首款使用EUV光刻工艺的半导体工艺技术,预计今年下半年投入生产,关键IP核心正在开发中,预计2019年上半年完成。
5nm LPE:通过7nm LPP工艺的创新,5nm LPE工艺将带来更高的面积缩放以及超低功耗优势。
4nm LPE/LPP:高度成熟的FinFET工艺将一直用到4nm节点,作为最新一代FinFET工艺,通过吸收5nm工艺的优势,4nm 将提供更小的cell单元、更高的性能以及更快达到量产水平的良率。
3nm GAAE/GAAP:4nm之后三星将推出3nm工艺,该工艺节点将使用全新的架构,为了克服FinFET工艺的物理缩放以及性能限制等问题,三星开发了独一无二的GAA技术,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管)。增强栅极控制之后,3nm节点工艺的性能将会明显提升。