掺硅氧化铝镓薄膜导电带隙刷新纪录

钛媒体App 10月28日,更宽带隙的半导体,能让电子产品更小、更高效,也能承受更高电压。但带隙越宽,材料导电性就越难控制。美国康奈尔大学领导的研究团队证明,在氧化铝镓薄膜中掺入硅,可在比以往任何半导体带隙都宽的情况下,依然保持稳定的导电调控能力。相关论文发表于新一期《自然》杂志。(科技日报)

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