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SK海力士据报考虑采用台积电3nm工艺生产HBM4E逻辑芯片

钛媒体App 3月23日消息，据报道，SK海力士预计将在其HBM4E核心芯片上采用10nm级第六代（1c）DRAM工艺，而逻辑芯片则采用台积电的3nm工艺。（广角观察）
新电子

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