英伟达据悉批准三星的8层HBM3E人工智能存储芯片

钛媒体App 1月31日消息,相关报道援引知情人士透露,三星电子已获得批准向英伟达供应其第五代高带宽存储芯片的一个版本。三星的8层HBM3E(一种较低级的HBM3E品种)据悉于12月获得英伟达的批准。三星和英伟达的代表拒绝置评。尽管进展不大,但这是三星为获得英伟达的HBM3E芯片批准奋斗一年之后取得的进展。

本文内容仅供参考,不构成投资建议,请谨慎对待。

评论
0 / 300

根据《网络安全法》实名制要求,请绑定手机号后发表评论

登录后输入评论内容
投资日历
更多