SK海力士发布iHBM控温散热技术：无需改设计降热阻超30%，瞄准AI算力需求

2026年5月26日，SK海力士正式发布了名为“iHBM”的控温散热存储技术。随着人工智能对算力的需求不断增长，高带宽内存（HBM）正朝着更多堆叠层数和更快运行速度的方向迭代，发热问题也随之成为影响产品稳定性的核心瓶颈。

iHBM的核心在于其全新开发的冷却元件“ICE”——这款元件采用绝缘且高导热的硅基材料制成。不同于传统HBM依赖间接散热的方式，iHBM直接在发热集中的D2D PHY区域嵌入ICE，搭建起专用的散热通道，使热阻降低超过30%，能有效确保产品在高负载环境下的稳定运行。

这项技术采用了已得到广泛验证的MR-MUF晶圆级封装工艺，不仅能够实现规模化量产，还能与现有系统级封装环境高度兼容，客户无需进行大规模设计调整就能完成部署。

SK海力士计划将iHBM应用到HBM5等下一代产品中，以满足高性能计算、AI数据中心等超高集成度、高带宽场景下的散热管理需求。