消息称三星电子将于6月30日开始量产3纳米芯片

6月29日

钛媒体App 6月29日消息,据外媒报道,三星电子将于6月30日开始批量生产基于全环绕栅极(GAA)技术的3纳米半导体。报道称,三星电子将于6月30日正式宣布大规模生产基于GAA的3纳米半导体。GAA晶体管结构优于目前的FinFET结构,因为它可以减少芯片尺寸和功耗。

*本内容仅供参考,不构成投资建议,请谨慎对待。

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