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三星14纳米EUV DDR5 DRAM存储芯片正式量产

2021.10.12 10:36 · 阅读 4.14万

钛媒体10月12日消息,今日,三星宣布已开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14纳米(nm)DRAM存储芯片。继去年3月三星推出首款EUV DRAM后,又将EUV层数增加至5层,为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。同时,整体晶圆生产率提升了约20%。此外,与上一代DRAM工艺相比,14纳米工艺可帮助降低近20%的功耗。 根据最新DDR5标准,三星的14纳米DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度:高达7.2Gbps,比DDR4的3.2Gbps快两倍多。三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合,以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外,三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb,以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。
三星14纳米EUV DDR5 DRAM存储芯片正式量产

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