钛媒体1月6日消息，据《韩国经济》杂志报道，三星电子已成功研发出首款3nm工艺芯片，基于全栅极（GAAFET）技术。与三星使用FinFET工艺研发的5nm芯片相比，3nm芯片的总硅片面积减少35%，功耗降低50%，性能提高30%。 此前，三星电子事实上的领导者李在镕曾参观了三星的半导体研发中心，并商讨了有关公司利用3nm工艺制造芯片的战略计划，以提供给全球客户。（来源：芯东西）
钛媒体1月6日消息，据《韩国经济》杂志报道，三星电子已成功研发出首款3nm工艺芯片，基于全栅极（GAAFET）技术。与三星使用FinFET工艺研发的5nm芯片相比，3nm芯片的总硅片面积减少35%，功耗降低50%，性能提高30%。 此前，三星电子事实上的领导者李在镕曾参观了三星的半导体研发中心，并商讨了有关公司利用3nm工艺制造芯片的战略计划，以提供给全球客户。（来源：芯东西）
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