2017年的三星代工论坛上，三星宣布了包括8nm、6nm及5nm、4nm工艺在内的一系列新工艺，今天三星又宣布新的工艺路线图，三星调整了一些工艺进展，表示7nm EUV工艺将在今年下半年问世，并首次公布了3nm GAAE/GAAP工艺，明确将使用新一代晶体管结构。
三星的工艺路线图更新如下：
7nm LPP：三星首款使用EUV光刻工艺的半导体工艺技术，预计今年下半年投入生产，关键IP核心正在开发中，预计2019年上半年完成。
5nm LPE：通过7nm LPP工艺的创新，5nm LPE工艺将带来更高的面积缩放以及超低功耗优势。
4nm LPE/LPP：高度成熟的FinFET工艺将一直用到4nm节点，作为最新一代FinFET工艺，通过吸收5nm工艺的优势，4nm 将提供更小的cell单元、更高的性能以及更快达到量产水平的良率。
3nm GAAE/GAAP：4nm之后三星将推出3nm工艺，该工艺节点将使用全新的架构，为了克服FinFET工艺的物理缩放以及性能限制等问题，三星开发了独一无二的GAA技术，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管）。增强栅极控制之后，3nm节点工艺的性能将会明显提升。
